DDR3/4 Abrechnung

June 11, 2025

Der Markt für DDR3/4 hat sich in jüngster Zeit plötzlich verändert und in eine angespannte Situation von Mangel und Preisanstieg geraten.und SK Hynix planen, die Produktion von DDR3 und DDR4 schrittweise einzustellenDiese Entscheidung führte zu einem starken Rückgang des Angebots von DDR3/4 auf dem Markt, was zu einem Anstieg der Spotmarktpreise führte.Unsere Firma hat eine Charge von DDR3/4 im Voraus mit scharfen Marktsicht reserviert.

Die folgenden DDR-Modelle sind mit echter Qualitätssicherung auf Lager:

DDR3/4
Produktbezeichnung	Produktmodus	Spezifikationen	Code	Marke	Anzahl	Lagerhaus
DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	6643 bis 107	PG/ZENTEL	46670	Shenzhen

DDR3L 256MB16	A3T4GF40BBF-HP	DDR3L 4Gb16 1866	6643 bis 107	PG/ZENTEL	938410	Hongkong

DDR4 512MB16	Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt	DDR4 8Gb16 2666	7634-075	PG/ZENTEL	14210	Shenzhen

DDR4 512MB16	Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt	DDR4 8Gb16 2666	7634-075	PG/ZENTEL	238260	Hongkong

8Gb ((DDR) 256M x32	NT1B2B2B2B2B2B2B2B2B2	LPDDR4-3733		PG/Nanya	35K.

Spezifikation für 8 GB DDR4 SDRAM

• Stromversorgung

-VDD = VDDQ= 1,2 V- Ich weiß.5%

-VPP= 2,5 V 5% + 10%

• Datenquote
- 3200 Mbps (DDR4-3200)
- 2933 Mbps (DDR4-2933)
- 2666 Mbps (DDR4-2666)
- 2400 Mbps (DDR4-2400)
- 2133 Mbps (DDR4-2133)
- 1866 Mbps (DDR4-1866)
- 1600 Mbps (DDR4-1600)
• Paket
- 96-Ball FBGA (A3F8GH40BBF)
- Bleifrei
• 8 interne Banken2 Gruppen von jeweils 4 Banken (x16)
• Differential-Uhr-Eingänge (CK_t und CK_c)
• Bidirektionale Differenzialdatenstrahler (DQS_t und DQS_c)
• Asynchrone Wiedereinstellungen werden unterstützt (RESET_n)
• ZQ-Kalibrierung für den Ausgangstreiber durch Vergleich mit
äußerer Referenzwiderstand

(RZQ 240Ohm- Ich weiß.1%)

• Nominale, Park- und dynamische Termination (ODT)
• DLL stellt DQ- und DQS-Übergänge mit CK-Übergängen in Einklang
• Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden
• CAS-Latenz (CL): 13, 15, 17, 19, 21 und 22 unterstützt
• Additive Latenz (AL) 0, CL-1 und CL-2 unterstützt
• Sprenglänge (BL): 8 und 4 mit auf der Flucht unterstützt
• CAS-Schreibverzögerung (CWL): 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18,
und 20 unterstützte
• Betriebsfalltemperaturbereich

TC = 0- Ich weiß.C bis +95- Ich weiß.C(Handelsqualität)

• Erneuerungszyklen
Durchschnittliche Aktualisierungszeit

7.8- Ich weiß.s bei 0- Ich weiß.C- Ich weiß.TC- Ich weiß.+85- Ich weiß.C

3.9- Ich weiß.s bei +85- Ich weiß.C < TC- Ich weiß.+95- Ich weiß.C
• Feingranularitäts-Aktualisierung unterstützt
• Einstellbare interne Erzeugung VREFDQ
• Pseudo Open Drain (POD) -Schnittstelle für Dateneingabe/Ausgabe
• Durch MRS ausgewählte Antriebskraft
• Die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung durch den 8-Bit-Vor-Fetch
• Temperaturgesteuerte Aktualisierung (TCR) wird unterstützt
• Der Modus Low Power Auto Self Refresh (LPASR) wird unterstützt
• Selbst-Aktualisierung Abbrechen unterstützt
• Programmierbare Präambel unterstützt
• Schreibnivellierung unterstützt
• Befehl/Adress-Latenz (CAL) wird unterstützt
• Mehrzweckregister Lese- und Schreibfähigkeit
• Parität der Kommandoadressen (CA Parität) für
Befehl Adresse Signal Fehler erkennen und informieren Sie es
an den Controller
• Schreiben Sie einen zyklischen Redundanzcode (CRC) für den DQ-Fehler
Ermittlung und Meldung an den Steuerungsteilnehmer bei hoher Geschwindigkeit
Betrieb
• Datenbus-Inversion (DBI) zur Verbesserung der Leistung
Verbrauch und Signalintegrität des Speichers
Schnittstelle
• Datenmaske (DM) für das Schreiben von Daten
• Adressierbarkeit (PDA) pro DRAM für jede DRAM
kann ein anderer Modusregisterwert festgelegt werden
Einzelne Anpassungen
• Unterstützung des Abwärtsgetriebes (1/2 und 1/4 Geschwindigkeit)
• hPPR und sPPR werden unterstützt
• Anschlussprüfung (nur x16)
• Maximaler Ausfallmodus für die niedrigste Leistung
Verbrauch ohne interne Erneuerungsaktivität
• JEDEC JESD-79-4 konform

4 GB DDR3/DDR3L SDRAM-Spezifikation
Spezifikationen	Eigenschaften
• Dichte: 4G-Bits • Organisation o 8 Banken x 64 Millionen Wörter x 8 Bits o 8 Banken x 32 Millionen Wörter x 16 Bits • Paket o FBGA mit 78 Kugeln o FBGA mit 96 Kugeln • Stromversorgung: - HP. o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 bis 1,45 V) o Rückwärtskompatibel mit DDR3-Betrieb VDD, VDDQ = 1,5 V (1.425 bis 1.575 V) - JR. o VDD, VDDQ = 1,5 V (1.425 bis 1.575 V) - JRL o VDD, VDDQ = 1,35 V (1,283 bis 1,45 V) • Datenrate: 1866 Mbps/2133 Mbps (max.) • Seitengröße 1KB (x8) o Zeilenadresse: AX0 bis AX15 o Spaltenadresse: AY0 bis AY9 • Seitengröße 2KB (x16) o Zeilenadresse: AX0 bis AX14 o Spaltenadresse: AY0 bis AY9 • Acht interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb • Burstlängen (BL): 8 und 4 mit Burst Chop (BC) • Burst-Typ (BT) o Sequential (8, 4 mit BC) o Zwischenspiel (8, 4 mit BC) • CAS-Latenz (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14 • CAS-Schreibverzögerung (CWL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 • Vorladung: Automatische Vorladung für jeden Ausbruch Zugang • Triebstärke: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω) • Aktualisierung: automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung • Durchschnittszeit der Erneuerung o 7,8 us bei TC ≤ +85°C o 3,9 us bei TC > +85°C • Betriebstemperaturbereich o TC = 0°C bis +95°C (kommerzielle Qualität) o TC = -40°C bis +95°C (Industrielle Qualität) o TC = -40°C bis +105°C (Klasse 2)	• Die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung wird durch die 8 Bits prefetch Pipeline-Architektur • Architektur mit doppelter Datenrate: zwei Datenübertragungen pro Uhrzyklus • Bi-directional Differenzialdatenstroboskop (DQS und /DQS) mit Daten für Erfassung von Daten am Empfänger • DQS ist randgerichtet mit Daten für READs; Ausgerichtet auf die Daten für WRITEs • Differentialleistungen (CK und /CK) • DLL passt die DQ- und DQS-Übergänge an CK an Übergangszustände • Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden; und Datenmaske, die auf beide Kanten von DQS verwiesen werden • Datenmaske (DM) für das Schreiben von Daten • Das CAS wird nach programmierbarer Additivlatenz für bessere Effizienz des Befehls- und Datenbusses • On-Die Termination (ODT) für eine bessere Signalqualität o Synchrone ODT o ¢ Dynamische ODT o Asynchrone ODT • Mehrzweckregister (MPR) für vordefinierte Musterlesen • ZQ-Kalibrierung für DQ-Antrieb und ODT • Programmierbare partielle Array-Selbsterneuerung (PASR) • RESET-Stift für die Anschaltsequenz und den Reset Funktion • SRT (Self-Refresh Temperatur) Bereich: o Normal/Erweiterte • Automatische Erneuerung (ASR) • Programmierbare Ausgangssteuerungsimpedanz • JEDEC-konforme DDR3/DDR3L • Row-Hammer-frei (RH-frei): Erkennung/Blockung Schaltkreis im Inneren

neueste Unternehmensnachrichten über DDR3/4 Abrechnung 1

Wenn Sie Beschaffungsbedürfnisse für DDR3/4 haben, wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam!

Ansprechpartner :	Ms. Sunny Wu
Telefon :	+8615712055204