Kapazität | 8 GB bis 256 GB |
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Vereinbarung | HS400 |
Gelesene Geschwindigkeit | Bis zu 330 MB/s |
Schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 240 MB/s |
Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C/-45°C bis +105°C |
Kapazität | 8GB bis 512GB |
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Für | Smartphone/ eingebettetes Motherboard/Tablet PC |
Gelesene Geschwindigkeit | Bis zu 330 MB/s |
Schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 240 MB/s |
Betriebstemperatur | -25°C bis +85°C |
Betriebstemperatur | -25°C zu +85°C |
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NAND-Flash | MLC/TLC/QLC |
Farbe | Schwarz |
Schnittstelle | HS400, HS200, HS, DDR |
Gelegentlich schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 10.000 IOPS |
Kapazität | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
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Qualität | 100% Original |
Gelegentlich schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 10.000 IOPS |
Spannung | 2.7V-3.6V |
Farbe | Schwarz |
NAND-Flash | MLC/TLC/QLC |
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WAFER | KIOXIA-Wafer in industrieller Qualität |
Betriebstemperatur | -25°C zu +85°C |
Standard | EMMC 5.1 |
Protokoll | HS400 |
Protokoll | HS400 |
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Spannung | 2.7V-3.6V |
Eigenschaften | Erweiterte Verschleißnivellierung, Bad Block Management, TRIM-Unterstützung, Stromverlustschutz, sic |
Hersteller | SEITE |
Farbe | Schwarz |
Betriebstemperatur | -25°C zu +85°C |
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NAND-Flash | MLC/TLC/QLC |
Farbe | Schwarz |
Schnittstelle | HS400, HS200, HS, DDR |
Gelegentlich schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 10.000 IOPS |
Hersteller | SEITE |
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Betriebstemperatur | -25°C zu +85°C |
Protokoll | HS400 |
NAND-Flash | MLC/TLC/QLC |
Gelegentlich schreiben Sie Geschwindigkeit | Bis zu 10.000 IOPS |
Hersteller | SEITE |
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Protokoll | HS400 |
Spannung | 2.7V-3.6V |
Schnittstelle | HS400, HS200, HS, DDR |
Eigenschaften | Erweiterte Verschleißnivellierung, Bad Block Management, TRIM-Unterstützung, Stromverlustschutz, sic |
WAFER | KIOXIA-Wafer in industrieller Qualität |
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Qualität | 100% Original |
Eigenschaften | Erweiterte Verschleißnivellierung, Bad Block Management, TRIM-Unterstützung, Stromverlustschutz, sic |
Die Situation | Neues |
Kapazität | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |